近半個世紀以來，硅一直是世界科技繁榮的焦點，芯片制造商幾乎都在壓榨它的性能。傳統(tǒng)上用于制造芯片的技術在2005年左右達到極限，芯片制造商不得不尋求其他技術，將更多的晶體管塞到硅上，從而制造出更強大的芯片。
    光刻機必須把工程師繪制的電路板精確無誤地投到硅晶圓上，不允許有絲毫誤差，可見難度之高！

      將晶體管封裝到芯片上的傳統(tǒng)工藝被稱為“深紫外光刻"（DUV），這是一種類似攝影的技術，通過透鏡聚焦光線，在硅晶片上刻出電路圖案。受到物理定律的影響，這種技術可能很快就會出現問題。利用極紫外光（EUV）在硅晶片上雕刻，將使芯片的速度快100倍，并使存儲器芯片具有類似倍數的存儲容量增長。

      1. 芯片制造
      光刻與攝影相似，它利用光將圖像轉移到基板上。就照相機而言，它的基板是膠卷，而硅是用于芯片制造的傳統(tǒng)基板。掩模就像電路圖案的模板，為在芯片上創(chuàng)建集成電路而設計。光被定向到一個掩模上，光線穿過掩模，然后通過一系列光學透鏡將圖像縮小，這個小圖像被投射到硅或半導體晶片上。
      晶圓上覆蓋著一種叫做光刻膠的感光液體材料，分為負性光刻膠和正性光刻膠兩大類。掩模被放置在晶圓上，當光線穿過掩模照射到硅片上時，它會使沒有被掩模覆蓋的光刻膠變硬。而不暴露在光下的光刻膠仍然有點粘糊糊，并且會被化學清洗掉，只剩下硬化的光刻膠和暴露在外的硅片。正性光刻膠則正好相反，曝光過的光刻膠會被化學清洗掉。
      制造更強大的芯片的關鍵是光的波長大小。波長越短，可以蝕刻到硅片上的晶體管就越多。更多的晶體管等于一個更強大、更快的微處理器。2001年，深紫外光刻使用的波長為240納米。隨著芯片制造商將波長減少到100納米，他們將需要一種新的芯片制造技術。使用深紫外光蝕刻技術的問題是，當光的波長變小時，光會被用于聚焦的玻璃透鏡吸收，結果是光線無法到達硅片上，晶圓上沒有產生電路圖案。這個時候，極紫外光刻技術就登場了。

      2. 極紫外光刻原理
      從2001年起，用深紫外光刻技術制造的芯片使用的是248納米的光，也有一些制造商使用193納米光。有了極紫外光刻技術，芯片將用13納米的光制造?；诓ㄩL越小成像效果越好的定律，13納米光將提高投射到硅片上的圖案質量，從而提高芯片的運行速度。
      但整個過程必須在真空中進行，因為這些光的波長很短，連空氣都會吸收它們。此外，EUV光刻機使用了涂有多層鉬和硅的凹面和凸面鏡，這種涂層可以在13.4納米的波長下反射近70%的EUV光。如果沒有涂層，光線在到達晶圓片之前就會被完quan吸收。鏡子的表面必須近乎完mei，即使是涂層上的微小缺陷也會破壞光學器件的形狀，扭曲印刷電路的圖形，從而導致芯片功能上的問題。

      目前，先進的光刻機是極紫外光刻機，它已經制造數十億顆7nm芯片了。甚至有芯片制造商聲稱，用極紫外光刻技術生產的5nm芯片的不良率比7nm芯片更低。